onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 55 A 650 V N, 4 Ben, TO-247, SiC Power
- RS-varenummer:
- 229-6459
- Producentens varenummer:
- NTH4L045N065SC1
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rør af 450 enheder)*
Kr. 24.130,35
(ekskl. moms)
Kr. 30.163,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 450 + | Kr. 53,623 | Kr. 24.130,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6459
- Producentens varenummer:
- NTH4L045N065SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | SiC Power | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 50mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 187W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 105nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.4V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 15.8mm | |
| Højde | 22.74mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie SiC Power | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 50mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 187W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 105nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.4V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 15.8mm | ||
Højde 22.74mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor SiC Power-serien MOSFET anvender en helt ny teknologi, der giver overlegen skifteevne og større pålidelighed sammenlignet med silikone. Desuden sikrer den lave modstand og kompakte chipstørrelse lav kapacitet og gate-opladning.
Højeste effektivitet
Hurtigere driftsfrekvens
Forøget effekttæthed
Reduceret EMI
Reduceret systemstørrelse
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 55 A 650 V N TO-247, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 142 A 650 V N TO-247, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 46 A 650 V N TO-247, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 62 A 650 V N TO-263, SiC Power
- onsemi Type N-Kanal 145 A 650 V N TO-263, SiC Power
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V
- onsemi Type N-Kanal 51 A 650 V N TO-247-4L, NTH
- onsemi Type N-Kanal 50 A 650 V N TO-247-4L, NTH