onsemi N-Kanal, MOSFET, 10 A 650 V N, 3 Ben, TO-252, SUPERFET III
- RS-varenummer:
- 229-6453
- Producentens varenummer:
- NTD360N65S3H
- Brand:
- onsemi
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme Kr. 136,90
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 98,66
(ekskl. moms)
Kr. 123,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 14.855 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 19,732 | Kr. 98,66 | - |
| 50 - 95 | Kr. 16,994 | Kr. 84,97 | Kr. 136,90 |
| 100 + | Kr. 14,75 | Kr. 73,75 | Kr. 498,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6453
- Producentens varenummer:
- NTD360N65S3H
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 360mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bredde | 2.39mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie SUPERFET III | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 360mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Bredde 2.39mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Effekt-MOSFET, N-kanal, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mΩ, DPAK
SUPERFET III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings super-junction (SJ) MOSFET-serie, der udnytter ladebalanceteknologi til fremragende lav modstand ved tændt og lavere gate-ladning. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningstab, giver fremragende switching-ydeevne og modstår ekstrem dv/dt-hastighed. Derfor hjælper SUPERFET III FAST MOSFET serien med at minimere forskellige strømforsyningssystemer og forbedre systemets effektivitet.
Egenskaber
• 700 V @ TJ = 150 °C
• Ultralav gate-opladning (typ. Qg = 17,5 nC)
• Lav effektiv udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 180 pF)
• Hurtig skiftepræstation med robust kropsdiode
• 100 % lavinetestet
• I overensstemmelse med RoHS
• Typ. RDS(on) = 296 m
• Indvendig portmodstand: 0,9
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 10 A 650 V N TO-252, SUPERFET III
- onsemi N-Kanal 13 A 650 V N TO-252, SUPERFET III
- onsemi N-Kanal 8 A 800 V N TO-252, SUPERFET III
- onsemi N-Kanal 13 A 650 V N TO-220, SUPERFET III
- onsemi N-Kanal 30 A 650 V N TO-220, SUPERFET III
- onsemi N-Kanal 16 A 650 V N TO-220, SUPERFET III
- onsemi N-Kanal 19 A 650 V N TO-220, SUPERFET III
- onsemi N-Kanal 10 A 650 V N TO-220, SUPERFET III