onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 650 V N, 3 Ben, TO-252, SUPERFET III Nej NTD360N65S3H

RS-varenummer:: 229-6453
Producentens varenummer:: NTD360N65S3H
Brand:: onsemi

onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 650 V N, 3 Ben, TO-252, SUPERFET III Nej NTD360N65S3H

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 92,45

(ekskl. moms)

Kr. 115,55

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

Plus 14.865 enhed(er) afsendes fra 31. december 2025

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 - 45	Kr. 18,49	Kr. 92,45
50 - 95	Kr. 15,948	Kr. 79,74
100 +	Kr. 13,824	Kr. 69,12

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 229-6453
Producentens varenummer:: NTD360N65S3H
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	10A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Serie	SUPERFET III
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	360mΩ
	Kanalform	N
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	17.5nC
	Effektafsættelse maks. Pd	83W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	30 V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	6.73mm
	Højde	6.22mm
	Bredde	2.39 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Serie SUPERFET III
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 360mΩ
	Kanalform N
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.5nC
	Effektafsættelse maks. Pd 83W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. 30 V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser No
	Længde 6.73mm
	Højde 6.22mm
	Bredde 2.39 mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - NTD360N65S3H

Effekt-MOSFET, N-kanal, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mΩ, DPAK

SUPERFET III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings super-junction (SJ) MOSFET-serie, der udnytter ladebalanceteknologi til fremragende lav modstand ved tændt og lavere gate-ladning. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningstab, giver fremragende switching-ydeevne og modstår ekstrem dv/dt-hastighed. Derfor hjælper SUPERFET III FAST MOSFET serien med at minimere forskellige strømforsyningssystemer og forbedre systemets effektivitet.

Egenskaber

• 700 V @ TJ = 150 °C

• Ultralav gate-opladning (typ. Qg = 17,5 nC)

• Lav effektiv udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 180 pF)

• Hurtig skiftepræstation med robust kropsdiode

• 100 % lavinetestet

• I overensstemmelse med RoHS

• Typ. RDS(on) = 296 m

• Indvendig portmodstand: 0,9

onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 650 V N, 3 Ben, TO-252, SUPERFET III Nej NTD360N65S3H

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Effekt-MOSFET, N-kanal, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mΩ, DPAK

Egenskaber

Relaterede links