onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 61 A 80 V N, 8 Ben, DFN, NTMFS Nej NTMFSC010N08M7
- RS-varenummer:
- 229-6475
- Producentens varenummer:
- NTMFSC010N08M7
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 59,62
(ekskl. moms)
Kr. 74,525
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.985 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 11,924 | Kr. 59,62 |
| 50 - 95 | Kr. 10,262 | Kr. 51,31 |
| 100 - 495 | Kr. 8,902 | Kr. 44,51 |
| 500 - 995 | Kr. 7,824 | Kr. 39,12 |
| 1000 + | Kr. 7,12 | Kr. 35,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6475
- Producentens varenummer:
- NTMFSC010N08M7
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 61A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | NTMFS | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 78.1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 5.1mm | |
| Længde | 6.25mm | |
| Bredde | 0.95 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 61A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie NTMFS | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 78.1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 5.1mm | ||
Længde 6.25mm | ||
Bredde 0.95 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor N-kanal MOSFET produceres ved hjælp af en Advanced-strømdæmpningsproces. fremskridt inden for både silicium- og tokompakningsteknologi er blevet kombineret for at give den laveste modstand i tilstanden, samtidig med at den fremragende skifteevne opretholdes ved ekstremt lav modstandsdygtighed over for varme fra saltbro til omgivelser.
Forbedret hus termisk kapacitet
Reducerer ledespild
Forbedret systemeffektivitet
Pakkemateriale overholder de seneste krav
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 61 A 80 V N DFN, NTMFS Nej
- onsemi Type N-Kanal 136 A 80 V Forbedring DFN, NTMFS Nej
- onsemi Type N-Kanal 119 A 80 V Forbedring DFN-5, NTMFS NTMFS4D0N08XT1G
- onsemi Type N-Kanal 136 A 80 V Forbedring DFN, NTMFS Nej NTMFSC004N08MC
- onsemi Type N-Kanal 154 A 80 V Forbedring DFN-5, NTMFS Nej NTMFS3D0N08XT1G
- onsemi Type N-Kanal 181 A 80 V Forbedring DFN-5, NTMFS Nej NTMFS2D5N08XT1G
- onsemi Type N-Kanal 131 A 100 V N DFN, NTMFS Nej
- onsemi Type N-Kanal 131 A 100 V N DFN, NTMFS Nej NTMFS3D6N10MCLT1G
