onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 174 A 150 V N, 8 Ben, TDFN
- RS-varenummer:
- 229-6489
- Producentens varenummer:
- NTMTSC4D3N15MC
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 93,87
(ekskl. moms)
Kr. 117,338
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 50 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 04. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 46,935 | Kr. 93,87 |
| 20 - 198 | Kr. 40,465 | Kr. 80,93 |
| 200 - 998 | Kr. 35,08 | Kr. 70,16 |
| 1000 - 1998 | Kr. 30,82 | Kr. 61,64 |
| 2000 + | Kr. 28,05 | Kr. 56,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6489
- Producentens varenummer:
- NTMTSC4D3N15MC
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 174A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TDFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 293W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 79nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 8.5mm | |
| Længde | 8.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 174A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TDFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 293W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 79nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 8.5mm | ||
Længde 8.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor industriel MOSFET med effekt i et 8x8 mm fladt blyhus, der er designet til kompakte og effektive design og med høj termisk ydelse. Kan fugtes i flanke for forbedret optisk inspektion. Den bruges til beskyttelse af reverserbatteri, til at skifte strømforsyninger og strømkontakter.
Kompakt konstruktion
Minimer ledningstab
Minimer tab af fører
Forbedret optisk inspektion
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 174 A 150 V N TDFN
- onsemi Type N-Kanal 16 A 650 V N TDFN, SUPERFET III
- onsemi Type N-Kanal 267 A 100 V Forbedring TDFN, NTMTS
- onsemi Type N-Kanal 236 A 100 V Forbedring TDFN, NTMTS
- Infineon Type N-Kanal 174 A 150 V N TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 174 A 150 V TO-263, IPT
- Infineon Type N-Kanal 174 A 150 V TO-263, IPT
- Vishay Type N-Kanal 174 A 150 V Forbedring PowerPAK (8x8L), SIJH