onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 236 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TDFN, NTMTS
- RS-varenummer:
- 214-8905
- Producentens varenummer:
- NTMTSC002N10MCTXG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 160,13
(ekskl. moms)
Kr. 200,16
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 32,026 | Kr. 160,13 |
| 50 - 95 | Kr. 27,606 | Kr. 138,03 |
| 100 + | Kr. 23,924 | Kr. 119,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-8905
- Producentens varenummer:
- NTMTSC002N10MCTXG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 236A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | NTMTS | |
| Emballagetype | TDFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.9W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 89nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.02mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 8.4mm | |
| Bredde | 8.5 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 236A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie NTMTS | ||
Emballagetype TDFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.9W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 89nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.02mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 8.4mm | ||
Bredde 8.5 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
on Semiconductor NTMTS serien er n-kanal MOSFET, som har drain til kildespænding på 100 V. Den anvendes typisk synkron ensretning og DC-DC-konvertering.
Blyfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 236 A 100 V Forbedring TDFN, NTMTS
- onsemi Type N-Kanal 267 A 100 V Forbedring TDFN, NTMTS
- onsemi Type N-Kanal 174 A 150 V N TDFN
- onsemi Type N-Kanal 24 A 650 V N TDFN, SUPERFET III
- onsemi Type N-Kanal 16 A 650 V N TDFN, SUPERFET III
- onsemi Type N-Kanal 30 A 650 V N TDFN, SUPERFET III
- Infineon Type N-Kanal 236 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CSFD
- onsemi 1 Type N-Kanal N-kanal 60 A 40 V Forbedring WQFN, NTTF
