onsemi N-Kanal, MOSFET, 10 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, SUPERFET III
- RS-varenummer:
- 229-6501
- Producentens varenummer:
- NTPF360N65S3H
- Brand:
- onsemi
Få rabat ved storkøb
Tilføj 20 flere for at gemme 13%
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 29,17
(ekskl. moms)
Kr. 36,46
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 858 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 14,585 | Kr. 29,17 | - |
| 20 - 198 | Kr. 12,565 | Kr. 25,13 | 13% |
| 200 + | Kr. 10,96 | Kr. 21,92 | 24% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6501
- Producentens varenummer:
- NTPF360N65S3H
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 360mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 26W | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.9mm | |
| Længde | 10.63mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 29.95mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie SUPERFET III | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 360mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 26W | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.9mm | ||
Længde 10.63mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 29.95mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor SUPER FET-serien er en helt ny højspændings super-junction MOSFET, der anvender opladningsbalanceteknologi for fremragende lav modstand og lavere gate-opladning. Denne Advanced-teknologi er skræddersyet til at minimere tab af ledning, giver overlegen skifteevne og kan modstå ekstrem dv/dt-hastighed.
Lav effektiv udgangskapacitet
100 % avalanche-testet
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Blyfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 10 A 650 V N TO-220, SUPERFET III
- onsemi N-Kanal 13 A 650 V N TO-220, SUPERFET III
- onsemi N-Kanal 30 A 650 V N TO-220, SUPERFET III
- onsemi N-Kanal 16 A 650 V N TO-220, SUPERFET III
- onsemi N-Kanal 19 A 650 V N TO-220, SUPERFET III
- onsemi N-Kanal 24 A 650 V N TO-220, SUPERFET III
- onsemi N-Kanal 12 A 650 V N TO-220, SUPERFET III
- onsemi N-Kanal 6 A 650 V N TO-220, SUPERFET III