STMicroelectronics Enkelt Type N-Kanal, MOSFET 65 V Forbedring, 4 Ben, B4E, RF2L

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 1.169,87

(ekskl. moms)

Kr. 1.462,34

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Restlager hos RS
  • Sidste 30 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 1.169,87
2 - 4Kr. 1.139,50
5 +Kr. 1.111,38

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
230-0085
Producentens varenummer:
RF2L16180CB4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Driftsfrekvens

1450 MHz

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain source spænding maks. Vds

65V

Emballagetype

B4E

Serie

RF2L

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Kanalform

Forbedring

Transistorkonfiguration

Enkelt

Driftstemperatur maks.

200°C

Bredde

9.78 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

9.4mm

Længde

27.94mm

Bilindustristandarder

Nej

Effektforstærkning typisk

14dB

STMicroelectronics RF2L16180CB4 er 180 W, 28 V internt matchet LDMOS-transistor, der er designet til multiarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE-basestation og ISM-anvendelser med frekvenser fra 1300 til 1600 MHz. Fire afledninger kan konfigureres som enkelt endeted, 180 graders push-pull eller 90 graders hybrid eller Doherty med korrekt eksternt matchende netværk.

Høj effektivitet og lineære forstærkningsopgaver

Integreret ESD-beskyttelse

Internt tilpasset for brugervenlighed

Optimeret til Dørty-applikationer

Relaterede links