STMicroelectronics Enkelt Type N-Kanal, MOSFET 60 V Forbedring, 2 Ben, B-2, RF2L
- RS-varenummer:
- 230-0088P
- Producentens varenummer:
- RF2L36075CF2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 2 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 1.946,14
(ekskl. moms)
Kr. 2.432,68
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 30 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 2 - 4 | Kr. 973,07 |
| 5 + | Kr. 949,14 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 230-0088P
- Producentens varenummer:
- RF2L36075CF2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Driftsfrekvens | 3.5 GHz | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | RF2L | |
| Emballagetype | B-2 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 2 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Længde | 20.57mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 3.61mm | |
| Bredde | 19.44 mm | |
| Effektforstærkning typisk | 12.5dB | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Driftsfrekvens 3.5 GHz | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie RF2L | ||
Emballagetype B-2 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 2 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Længde 20.57mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 3.61mm | ||
Bredde 19.44 mm | ||
Effektforstærkning typisk 12.5dB | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics RF2L36075CF2 er en 75 W internt matchet LDMOS-transistor, der er designet til multiarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE basestationer og S-Band-radarapplikationer i frekvensområdet fra 3.1 til 3.6 GHz. Den kan bruges i klasse AB, B eller C til alle typiske modulationsformater for cellulære basestationer.
Høj effektivitet og lineære forstærkningsopgaver
Integreret ESD-beskyttelse
Intern indgangsmatching for brugervenlighed
Stort positivt og negativt gate-source spændingsområde for forbedret klasse C drift
Fremragende termisk stabilitet, lav HCI-drift
