STMicroelectronics Enkelt Type N-Kanal, MOSFET 90 V Forbedring, 5 Ben, LBB, RF3L
- RS-varenummer:
- 230-0090
- Producentens varenummer:
- RF3L05250CB4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 1.298,23
(ekskl. moms)
Kr. 1.622,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 20 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 1 | Kr. 1.298,23 |
| 2 - 4 | Kr. 1.273,62 |
| 5 + | Kr. 1.258,06 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 230-0090
- Producentens varenummer:
- RF3L05250CB4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain source spænding maks. Vds | 90V | |
| Serie | RF3L | |
| Emballagetype | LBB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Længde | 28.95mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 4.85mm | |
| Effektforstærkning typisk | 18dB | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain source spænding maks. Vds 90V | ||
Serie RF3L | ||
Emballagetype LBB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Længde 28.95mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 4.85mm | ||
Effektforstærkning typisk 18dB | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics RF3L05250CB4 er en 250 W 28/32 V LDMOS FET, der er designet til bredbånds-kommunikation og ISM-anvendelser med frekvenser fra HF til 1 GHz. Den kan bruges i klasse AB/B og C til alle typiske modulationsformater.
Høj effektivitet og lineære forstærkningsopgaver
Integreret ESD-beskyttelse
Stort positivt og negativt interval for gate/kilde spænding for forbedret klasse C drift
