STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247, SCTW
- RS-varenummer:
- 230-0094P
- Producentens varenummer:
- SCTWA60N120G2-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 2 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 375,94
(ekskl. moms)
Kr. 469,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 2 - 4 | Kr. 187,97 |
| 5 + | Kr. 183,26 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 230-0094P
- Producentens varenummer:
- SCTWA60N120G2-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | SCTW | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 52mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 388W | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 21.1mm | |
| Længde | 15.9mm | |
| Bredde | 5.1 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie SCTW | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 52mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 388W | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 21.1mm | ||
Længde 15.9mm | ||
Bredde 5.1 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics SCTWA60N er en MOSFET-enhed med siliciumkarbid, der er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovativ anden generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperaturen.
Meget hurtig og robust indbygget lysdiode
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Kildesensorstift for øget effektivitet