onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, SUPERFET V Nej NTHL099N60S5

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 43,01

(ekskl. moms)

Kr. 53,76

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 274 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 43,01
10 - 99Kr. 37,10
100 +Kr. 32,16

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
230-9089
Producentens varenummer:
NTHL099N60S5
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

SUPERFET V

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

99mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

48nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

184W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

41.07mm

Længde

15.87mm

Bredde

4.82 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

ON Semiconductor-serien SUPERFET V MOSFET er femte generation af SJ-MOSFET (high-voltage) serien fra ON Semiconductor. SUPERFET V leverer klassens bedste FOM'er (RDS(ON) · QG og RDS(ON) · EOSS), der forbedrer ikke blot den tunge belastning, men også effektiviteten ved let belastning. 600 V SUPERET V serien giver designfordele gennem reduceret lednings- og skiftetab, mens den understøtter ekstreme MOSFET DVD'er/dt-værdier ved 120 V/ns og høj krops-diode DVD'er/dt-værdier ved 50 V/ns. Derfor kombinerer SUPERFET V MOSFET Easy Drive serien fremragende skifteevne uden at gå på kompromis med brugervenligheden for både hårde og bløde skiftemotologier. Det hjælper med at håndtere EMI-problemer og giver mulighed for lettere designimplementering med fremragende systemeffektivitet.

Ultralav gate-opladning (typ. QG = 48 bryde)

Tabsfattigt skift

Lav tidsrelateret udgangskapacitet (typ. COSS (tr.) = 642 pF)

Tabsfattigt skift

Optimeret kapacitet

Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger

650 V VED TJ = 150 C.

Typ. RDS(til) = 79.2 m Ω

100 % Avalanche testet

I overensstemmelse med RoHS

Intern Gate-modstand: 6.9 Ω

Relaterede links