Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Forbedring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 49,54

(ekskl. moms)

Kr. 61,92

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 49,54
5 - 9Kr. 47,12
10 - 24Kr. 45,18
25 - 49Kr. 43,16
50 +Kr. 40,17

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
232-0417
Producentens varenummer:
IMZA65R107M1HXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-247-4

Serie

CoolSiC

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

142mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon har SiC MOSFET, der leverer pålidelig og omkostningseffektiv ydelse i TO247 4-benet hus. CoolSiC MOSFET-teknologien udnytter siliciumcarbidens stærke fysiske egenskaber og tilføjer unikke funktioner, der øger enhedens ydeevne, robusthed og brugervenlighed. MOSFET 650V er bygget på en avanceret rench-halvleder, der er optimeret til ikke at gå på kompromis med at opnå både de laveste tab i anvendelsen og den højeste driftsikkerhed.

Lav arbejdsdygtighed

Optimeret skifteadfærd ved højere strømstyrker

Overlegen gate-oxid pålidelighed

Fremragende termisk ydelse

Øget lavine-kapacitet

Fungerer med standarddrivere

Relaterede links