Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 26 A 650 V Forbedring, 4 Ben, TO-247, CoolSiC Nej IMZA65R083M1HXKSA1
- RS-varenummer:
- 232-0415
- Producentens varenummer:
- IMZA65R083M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 43,83
(ekskl. moms)
Kr. 54,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 23 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 43,83 |
| 5 - 9 | Kr. 41,66 |
| 10 - 24 | Kr. 39,87 |
| 25 - 49 | Kr. 38,15 |
| 50 + | Kr. 35,46 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 232-0415
- Producentens varenummer:
- IMZA65R083M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 26A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 111mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie CoolSiC | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 111mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon har SiC MOSFET, der leverer pålidelig og omkostningseffektiv ydelse i TO247 4-benet hus. CoolSiC MOSFET-teknologien udnytter siliciumcarbidens stærke fysiske egenskaber og tilføjer unikke funktioner, der øger enhedens ydeevne, robusthed og brugervenlighed. MOSFET 650V er bygget på en avanceret rench-halvleder, der er optimeret til ikke at gå på kompromis med at opnå både de laveste tab i anvendelsen og den højeste driftsikkerhed.
Lav arbejdsdygtighed
Optimeret skifteadfærd ved højere strømstyrker
Overlegen gate-oxid pålidelighed
Fremragende termisk ydelse
Øget lavine-kapacitet
Fungerer med standarddrivere
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 26 A 650 V TO-247-4, CoolSiC IMZA65R083M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 26 A 650 V TO-247, CoolSiC IMW65R072M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 28 A 650 V TO-247-4, CoolSiC IMZA65R072M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 50 A 650 V TO-247-4, CoolSiC IMZA65R039M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 35 A 650 V TO-247-4, CoolSiC IMZA65R057M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 20 A 650 V TO-247-4, CoolSiC IMZA65R107M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 39 A 650 V TO-247-4, CoolSiC IMZA65R048M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 59 A 650 V TO-247-4, CoolSiC IMZA65R027M1HXKSA1