Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 97 A 100 V, 8 Ben, SO-8, OptiMOS 5

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 29.155,00

(ekskl. moms)

Kr. 36.445,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 16. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
5000 +Kr. 5,831Kr. 29.155,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
232-6766
Producentens varenummer:
ISC0806NLSATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

97A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

OptiMOS 5

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

7.1mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

49nC

Effektafsættelse maks. Pd

96W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

5.35mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.2 mm

Længde

6.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineons OptiMOS PD effekt MOSFET 100 V er designet til USB-PD og adapteranvendelser. Det er SuperSO8-pakken, der giver hurtig ramping og optimerede gennemløbstider. OptiMOS lavspændings MOSFET'er til levering af strøm muliggør design med færre dele, der fører til reduktion af BOM-omkostninger. OptiMOS PD indeholder kvalitetsprodukter i kompakte, lette pakker.

Tilgængelighed på logikniveau

Fremragende termisk ydelse

100 % avalanche-testet

Relaterede links