STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V-4
- RS-varenummer:
- 233-0473P
- Producentens varenummer:
- SCTWA35N65G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 5 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 479,45
(ekskl. moms)
Kr. 599,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 241 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 5 - 9 | Kr. 95,89 |
| 10 - 24 | Kr. 93,28 |
| 25 - 49 | Kr. 90,96 |
| 50 + | Kr. 88,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-0473P
- Producentens varenummer:
- SCTWA35N65G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA35N65G2V-4 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 67mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.3V | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 73nC | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Længde | 20.1mm | |
| Højde | 5.1mm | |
| Bredde | 21.1 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Serie SCTWA35N65G2V-4 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 67mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.3V | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 73nC | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Længde 20.1mm | ||
Højde 5.1mm | ||
Bredde 21.1 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics siliciumcarbid MOSFET-enheden er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovativ 2. Generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperaturen.
Meget hurtig og robust indbygget lysdiode
Lav arbejdsdygtighed
Kildesensorstift for øget effektivitet