STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, STN3N
- RS-varenummer:
- 233-3092
- Producentens varenummer:
- STN3NF06
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 27,98
(ekskl. moms)
Kr. 34,975
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 38.585 enhed(er) afsendes fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 5,596 | Kr. 27,98 |
| 10 - 95 | Kr. 5,326 | Kr. 26,63 |
| 100 - 245 | Kr. 5,042 | Kr. 25,21 |
| 250 - 495 | Kr. 4,788 | Kr. 23,94 |
| 500 + | Kr. 4,562 | Kr. 22,81 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-3092
- Producentens varenummer:
- STN3NF06
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | STN3N | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.3W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.5mm | |
| Højde | 1.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie STN3N | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.3W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.5mm | ||
Højde 1.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics Power MOSFET er den seneste udvikling af den strip-baserede proces STMicroelectronics Unique \"Single Feature size\". Den resulterende transistor har ekstremt høj pakningstæthed for lav modstand, robuste lavine-egenskaber og mindre kritiske justeringstrin, hvilket er en bemærkelsesværdig produktionsreproducerbarhed.
Enestående dv/dt-funktion
Avalanche robust teknologi
100 % avalanche-testet