STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, STN3N Nej STN3NF06

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 28,80

(ekskl. moms)

Kr. 36,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 38.605 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 5Kr. 5,76Kr. 28,80
10 - 95Kr. 5,476Kr. 27,38
100 - 245Kr. 5,206Kr. 26,03
250 - 495Kr. 4,936Kr. 24,68
500 +Kr. 4,682Kr. 23,41

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
233-3092
Producentens varenummer:
STN3NF06
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-223

Serie

STN3N

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

7mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

3.3W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

7 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.5mm

Højde

1.6mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics Power MOSFET er den seneste udvikling af den strip-baserede proces STMicroelectronics Unique \"Single Feature size\". Den resulterende transistor har ekstremt høj pakningstæthed for lav modstand, robuste lavine-egenskaber og mindre kritiske justeringstrin, hvilket er en bemærkelsesværdig produktionsreproducerbarhed.

Enestående dv/dt-funktion

Avalanche robust teknologi

100 % avalanche-testet

Relaterede links