Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 77 A 250 V Forbedring, 8 Ben, HSOG, IPTG

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
233-4390
Producentens varenummer:
IPTG210N25NM3FDATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

77A

Drain source spænding maks. Vds

250V

Emballagetype

HSOG

Serie

IPTG

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

21mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

65nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.1mm

Bredde

8.75 mm

Højde

2.4mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS effekt MOSFET IPTG210N25NM3FD leveres i det forbedrede TO-Leaded hus med gullwing ledninger. Med et kompatibelt bundareal på TO-Leadless giver TOLG fremragende elektrisk ydelse sammenlignet med D2PAK 7-benet med ∼60 procent pladsreduktion på printkort. Denne nye pakke i OptiMOS 3 - 250 V giver meget lav RDS (til) og er optimeret til at håndtere høj strømstyrke 300 A. Fleksibiliteten ved gullwing-ledninger, OptiMOS i TOLG-hus, viser fremragende pålidelighed ved loddeterminaler på Al-IMS-kort.

Høj effektivitet og lavere EMI

Høj ydeevne

Relaterede links