Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 77 A 250 V Forbedring, 8 Ben, HSOG, IPTG Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1800 enheder)*

Kr. 43.171,20

(ekskl. moms)

Kr. 53.964,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1800 +Kr. 23,984Kr. 43.171,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:
233-4390
Producentens varenummer:
IPTG210N25NM3FDATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

77A

Drain source spænding maks. Vds

250V

Emballagetype

HSOG

Serie

IPTG

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

21mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

65nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

8.75 mm

Højde

2.4mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS effekt MOSFET IPTG210N25NM3FD leveres i det forbedrede TO-Leaded hus med gullwing ledninger. Med et kompatibelt bundareal på TO-Leadless giver TOLG fremragende elektrisk ydelse sammenlignet med D2PAK 7-benet med ∼60 procent pladsreduktion på printkort. Denne nye pakke i OptiMOS 3 - 250 V giver meget lav RDS (til) og er optimeret til at håndtere høj strømstyrke 300 A. Fleksibiliteten ved gullwing-ledninger, OptiMOS i TOLG-hus, viser fremragende pålidelighed ved loddeterminaler på Al-IMS-kort.

Høj effektivitet og lavere EMI

Høj ydeevne

Relaterede links