Infineon N-Kanal, MOSFET, 114 A 150 V, 8 ben, SuperSO8 5 x 6 BSC074N15NS5ATMA1

Infineon OptiMOS N-kanal MOSFET'er i SuperSO8-pakken udvider OptiMOS 3- og 5-produktporteføljen og muliggør højere effekttæthed samt forbedret robusthed, der opfylder behovet for lavere systemomkostninger og øget ydeevne. Den lave reverse recovery charge (Qrr) forbedrer systemets pålidelighed ved at give en betydelig reduktion af spændingsoverskridelse, hvilket minimerer behovet for snubber kredsløb, hvilket resulterer i mindre tekniske omkostninger og besvær. Den har 114A maksimal kontinuerlig drænstrøm og 150 V maks. drænkildespænding. Den er velegnet til højfrekvent switching og synkron ensretning.

Den laveste RDS (on) giver den højeste effekttæthed og effektivitet
Højere driftstemperaturnormering op til 175 C for øget pålidelighed
Lav RthJC for fremragende termisk adfærd
Nederste genindvindingsladning til bakkørsel (Qrr)
Meget lav RDS-modstand (til)
Meget lav genvindingsladning til bakgear (Qrr)
Blyfri forgyldning
I overensstemmelse med RoHS