Infineon N-Kanal, MOSFET, 193 A 40 V, 8 Ben, TDSON-8 FL, ISC
- RS-varenummer:
- 234-6995P
- Producentens varenummer:
- ISC017N04NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 589,40
(ekskl. moms)
Kr. 736,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 9.795 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 120 | Kr. 11,788 |
| 125 - 245 | Kr. 11,04 |
| 250 - 495 | Kr. 10,352 |
| 500 + | Kr. 9,604 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 234-6995P
- Producentens varenummer:
- ISC017N04NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 193A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TDSON-8 FL | |
| Serie | ISC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.7mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 115W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 67nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 1.1mm | |
| Længde | 4.4mm | |
| Højde | 3.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 193A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TDSON-8 FL | ||
Serie ISC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 115W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 67nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 1.1mm | ||
Længde 4.4mm | ||
Højde 3.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 effekttransistor N-kanals MOSFET har 40 V afløbskilde brydespænding og 193 A kontinuerlig afløbsstrøm. Dette produkt tilbyder en benchmark-løsning til anvendelser, der kræver drevkapacitet på normalt niveau (højere tærskelspænding). Den høje Vth i den normale niveauportefølje giver immunitet over for falsk tænding på grund af støjende miljøer. Desuden reducerer lavere QGD/QGS-forhold toppen af gate spændingsspidser, hvilket yderligere bidrager til robustheden mod uønsket tænding.
Batteridrevet anvendelse
LLV motordrev
Meget lav modstand ved tændt RDS(on)
100% lavine testet
175 °C samlingstemperatur
Fremragende termisk modstandsdygtighed
Lav gate-opladning
Reduktion af skiftetab
Velegnet til drift ved højere frekvenser
N-kanal
Blyfri ledningsbelægning
I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21