Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 170 A 40 V, 8 Ben, TDSON-8 FL, ISC Nej ISC019N04NM5ATMA1
- RS-varenummer:
- 234-6997
- Producentens varenummer:
- ISC019N04NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 59,63
(ekskl. moms)
Kr. 74,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 4.990 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 11,926 | Kr. 59,63 |
| 50 - 120 | Kr. 9,888 | Kr. 49,44 |
| 125 - 245 | Kr. 9,276 | Kr. 46,38 |
| 250 - 495 | Kr. 8,706 | Kr. 43,53 |
| 500 + | Kr. 7,988 | Kr. 39,94 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 234-6997
- Producentens varenummer:
- ISC019N04NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 170A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | ISC | |
| Emballagetype | TDSON-8 FL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.7mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 115W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 67nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 3.8mm | |
| Længde | 4.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.1 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 170A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie ISC | ||
Emballagetype TDSON-8 FL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 115W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 67nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 3.8mm | ||
Længde 4.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.1 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 effekttransistor N-kanals MOSFET har 40 V afløbskilde brydespænding og 170 A kontinuerlig afløbsstrøm. Dette produkt tilbyder en benchmark-løsning til anvendelser, der kræver drevkapacitet på normalt niveau (højere tærskelspænding). Den høje Vth i den normale niveauportefølje giver immunitet over for falsk tænding på grund af støjende miljøer. Desuden reducerer lavere QGD/QGS-forhold toppen af gate spændingsspidser, hvilket yderligere bidrager til robustheden mod uønsket tænding.
Batteridrevet anvendelse
LLV motordrev
Meget lav modstand ved tændt RDS(on)
100% lavine testet
175 °C samlingstemperatur
Fremragende termisk modstandsdygtighed
Lav gate-opladning
Reduktion af skiftetab
Velegnet til drift ved højere frekvenser
N-kanal
Blyfri ledningsbelægning
I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 170 A 40 V TDSON-8 FL, ISC Nej ISC019N04NM5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 170 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8 FL, ISC Nej ISC032N12LM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 193 A 40 V TDSON-8 FL, ISC Nej ISC017N04NM5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 98 A 40 V TDSON-8 FL, ISC Nej ISC036N04NM5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 63 A 40 V TDSON-8 FL, ISC Nej ISC058N04NM5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 121 A 40 V TDSON-8 FL, ISC Nej ISC028N04NM5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 77 A 40 V TDSON-8 FL, ISC Nej ISC046N04NM5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 74 A 200 V Forbedring PG-TDSON-8 FL, ISC Nej ISC151N20NM6ATMA1