Infineon N-Kanal, Effekttransistor, 74 A 200 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8 FL, ISC
- RS-varenummer:
- 349-149
- Producentens varenummer:
- ISC151N20NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 89,61
(ekskl. moms)
Kr. 112,01
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 4.970 enhed(er) afsendes fra 25. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 44,805 | Kr. 89,61 |
| 20 - 198 | Kr. 40,315 | Kr. 80,63 |
| 200 - 998 | Kr. 37,175 | Kr. 74,35 |
| 1000 - 1998 | Kr. 34,52 | Kr. 69,04 |
| 2000 + | Kr. 30,93 | Kr. 61,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-149
- Producentens varenummer:
- ISC151N20NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 74A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | PG-TDSON-8 FL | |
| Serie | ISC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 31nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 74A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype PG-TDSON-8 FL | ||
Serie ISC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 15.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon ISC seriens effekttransistor, 200 W maksimal effekttab, 200 V maksimal drain source-spænding - ISC151N20NM6ATMA1
Denne effekttransistor er en stærkstrøms-N-kanal-forbedrings-MOSFET, der er designet til overflademonterede anvendelser, hvor der kræves robust omskiftning og termisk ydeevne. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til strømkonverterings- og styringsopgaver i krævende elektroniske systemer, med lav fremadgående spænding og et kompakt PG-TDSON-8 FL-hus til pladsbegrænsede enheder.
Egenskaber og fordele:
• 200 V-klassificering muliggør højspændingskoblingsevne
• 74 A kontinuerlig strøm til håndtering af kraftige belastninger
• 15,1 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab ved høj strøm
• 200 W effekttab understøtter forhøjet termisk belastning
• 31 nC gate-opladning til hurtigt drevet omskiftningskontrol
• Område fra -55 °C til 175 °C er velegnet til drift ved ekstreme temperaturer
• 74 A kontinuerlig strøm til håndtering af kraftige belastninger
• 15,1 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab ved høj strøm
• 200 W effekttab understøtter forhøjet termisk belastning
• 31 nC gate-opladning til hurtigt drevet omskiftningskontrol
• Område fra -55 °C til 175 °C er velegnet til drift ved ekstreme temperaturer
Anvendelser
• Velegnet til synkron buck-omformerstrin
• Ideel til omskiftning af motordrev inverterben
• Anvendes sammen med strømfordelingsmoduler med høj strømstyrke
• Kan bruges til serverstrømforsyningstransistorer
• Velegnet til industrielle switching-regulatordesign
• Ideel til omskiftning af motordrev inverterben
• Anvendes sammen med strømfordelingsmoduler med høj strømstyrke
• Kan bruges til serverstrømforsyningstransistorer
• Velegnet til industrielle switching-regulatordesign
Hvilken monteringsmetode kræver den til montering?
Den leveres i et overflademonteret PG-TDSON-8 FL-hus, der er beregnet til reflow-lodning til printkortlandinger.
Hvilken spændingsbelastning kan enheden modstå i omskiftningsmiljøer?
Enheden er specificeret til at håndtere en maksimal drain-source-spænding på 200 V under drift.
Hvordan påvirker kravet til gate-drev valg af kontroller?
Den maksimale gate-source-tolerance er 20 V, og den typiske gate-ladning ved Vgs er 31 nC, hvilket bestemmer driverens strøm- og timingbehov.
Hvilke termiske overvejelser anbefales til brug med høj effekt?
Med en maksimal effekttab på 200 W er der behov for tilstrækkelig termisk afhjælpning af printkort og varmespredningsforanstaltninger for at styre forbindelsestemperaturen.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 170 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8 FL, ISC
- Infineon N-Kanal 541 A 40 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 142 A 135 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 172 A 135 V Forbedring PG-TSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 62 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 164 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 24 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 193 A 40 V TDSON-8 FL, ISC
