Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 74 A 200 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8 FL, ISC
- RS-varenummer:
- 349-149
- Producentens varenummer:
- ISC151N20NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 73,68
(ekskl. moms)
Kr. 92,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 5.000 enhed(er) afsendes fra 18. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 36,84 | Kr. 73,68 |
| 20 - 198 | Kr. 33,175 | Kr. 66,35 |
| 200 - 998 | Kr. 30,555 | Kr. 61,11 |
| 1000 - 1998 | Kr. 28,425 | Kr. 56,85 |
| 2000 + | Kr. 25,43 | Kr. 50,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-149
- Producentens varenummer:
- ISC151N20NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 74A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | PG-TDSON-8 FL | |
| Serie | ISC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 31nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 74A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype PG-TDSON-8 FL | ||
Serie ISC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 15.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 6 Power Transistor er en N-kanal MOSFET på normalt niveau, der er designet til højtydende effektapplikationer. Den har meget lav on-modstand (RDS(on)), hvilket hjælper med at minimere ledningstab og forbedre systemets effektivitet. Med et fremragende gate charge x RDS(on)-produkt (FOM) sikrer denne transistor en optimeret skifteydelse. Den har også en meget lav reverse recovery charge (Qrr), hvilket reducerer koblingstab og forbedrer den samlede effektivitet i hurtigkoblende kredsløb. Den er designet til at fungere ved en temperatur på 175 °C og giver høj pålidelighed i krævende miljøer og overlegen termisk ydeevne for robust drift.
Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
MSL 1 klassificeret i henhold til J-STD-020
100% lavine testet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 170 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8 FL, ISC
- Infineon Type N-Kanal 541 A 40 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 142 A 135 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 172 A 135 V Forbedring PG-TSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 24 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 62 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 164 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 193 A 40 V TDSON-8 FL, ISC
