Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 62 A 120 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC Nej ISC110N12NM6ATMA1
- RS-varenummer:
- 349-146
- Producentens varenummer:
- ISC110N12NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 99,77
(ekskl. moms)
Kr. 124,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 9,977 | Kr. 99,77 |
| 100 - 240 | Kr. 9,477 | Kr. 94,77 |
| 250 + | Kr. 8,782 | Kr. 87,82 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-146
- Producentens varenummer:
- ISC110N12NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 62A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 120V | |
| Serie | ISC | |
| Emballagetype | PG-TDSON-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 94W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 62A | ||
Drain source spænding maks. Vds 120V | ||
Serie ISC | ||
Emballagetype PG-TDSON-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 94W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS 6 Power Transistor er en N-kanals MOSFET på normalt niveau, der er designet til højeffektive effektapplikationer. Den har meget lav on-modstand (RDS(on)), hvilket reducerer ledningstab og forbedrer energieffektiviteten. Transistoren har et fremragende gate charge x RDS(on)-produkt (FOM), hvilket forbedrer switching-ydelsen. Med meget lav reverse recovery charge (Qrr) minimerer den koblingstab, hvilket gør den ideel til applikationer med hurtig kobling. Den har også en høj lavinenergiklassificering, der sikrer robusthed under transiente forhold. Derudover fungerer MOSFET'en ved en temperatur på 175 °C, hvilket giver høj termisk udholdenhed til krævende anvendelser.
Optimeret til højfrekvent switching og synkron ensretning
Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
MSL 1 klassificeret i henhold til J-STD-020
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 84 A 120 V PG-TDSON-8, ISC ISC078N12NM6ATMA1
- Infineon N-Kanal 24 A 120 V PG-TDSON-8, ISC ISC320N12LM6ATMA1
- Infineon N-Kanal 170 A 120 V PG-TDSON-8, ISC ISC032N12LM6ATMA1
- Infineon N-Kanal 172 A 135 V PG-TDSON-8, ISC ISC037N13NM6ATMA1
- Infineon N-Kanal 142 A 135 V PG-TDSON-8, ISC ISC046N13NM6ATMA1
- Infineon N-Kanal 541 A 40 V PG-TDSON-8, ISC ISCH42N04LM7ATMA1
- Infineon N-Kanal 88 A 200 V PG-TDSON-8, ISC ISC130N20NM6ATMA1
- Infineon N-Kanal 74 A 200 V PG-TDSON-8, ISC ISC151N20NM6ATMA1