Infineon Type N-Kanal, OptiMOST Power-MOSFET, 63 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- RS-varenummer:
- 273-3039
- Producentens varenummer:
- ISC045N03L5SATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 6.655,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.320,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 1,331 | Kr. 6.655,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-3039
- Producentens varenummer:
- ISC045N03L5SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | OptiMOST Power-MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 63A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | ISC | |
| Emballagetype | PG-TDSON-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.89V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 30W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype OptiMOST Power-MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 63A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie ISC | ||
Emballagetype PG-TDSON-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.89V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 30W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons lavspændings-effekt-MOSFET giver bred tilgængelighed og konkurrencedygtigt pris/ydeevne-forhold.
Giver mulighed for omkostningseffektive løsninger
Hurtig forsendelse
Let at designe i
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 63 A 30 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC Nej
- Infineon Type N-Kanal 164 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC ISC035N10NM5LF2ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 62 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC Nej ISC110N12NM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 24 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC Nej ISC320N12LM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 63 A 40 V TDSON-8 FL, ISC Nej ISC058N04NM5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 142 A 135 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC Nej ISC046N13NM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 541 A 40 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC Nej ISCH42N04LM7ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 85 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC Nej ISC078N12NM6ATMA1