Infineon Type N-Kanal, N-kanal Mosfet, 85 A 120 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- RS-varenummer:
- 349-145
- Producentens varenummer:
- ISC078N12NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 77,34
(ekskl. moms)
Kr. 96,675
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 15,468 | Kr. 77,34 |
| 50 - 95 | Kr. 14,72 | Kr. 73,60 |
| 100 - 495 | Kr. 13,628 | Kr. 68,14 |
| 500 - 995 | Kr. 12,506 | Kr. 62,53 |
| 1000 + | Kr. 12,058 | Kr. 60,29 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-145
- Producentens varenummer:
- ISC078N12NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | N-kanal Mosfet | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 85A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 120V | |
| Emballagetype | PG-TDSON-8 | |
| Serie | ISC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype N-kanal Mosfet | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 85A | ||
Drain source spænding maks. Vds 120V | ||
Emballagetype PG-TDSON-8 | ||
Serie ISC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS 6 Power Transistor er en N-kanals MOSFET på normalt niveau, der er designet til højeffektive effektapplikationer. Den har meget lav on-modstand (RDS(on)), hvilket reducerer ledningstab og forbedrer energieffektiviteten. Transistoren har et fremragende gate charge x RDS(on)-produkt (FOM), hvilket forbedrer switching-ydelsen. Med meget lav reverse recovery charge (Qrr) minimerer den koblingstab, hvilket gør den ideel til applikationer med hurtig kobling. Den har også en høj lavinenergiklassificering, der sikrer robusthed under transiente forhold. Derudover fungerer MOSFET'en ved en temperatur på 175 °C, hvilket giver høj termisk udholdenhed til krævende anvendelser.
Optimeret til højfrekvent switching og synkron ensretning
Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
MSL 1 klassificeret i henhold til J-STD-020
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 24 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 62 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 164 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 541 A 40 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 142 A 135 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 170 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8 FL, ISC
- Infineon Type N-Kanal 74 A 200 V Forbedring PG-TDSON-8 FL, ISC
- Infineon Type N-Kanal 63 A 30 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC