Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 541 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC Nej ISCH42N04LM7ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 126,12

(ekskl. moms)

Kr. 157,65

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 19. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 25,224Kr. 126,12
50 - 95Kr. 23,966Kr. 119,83
100 +Kr. 22,186Kr. 110,93

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-391
Producentens varenummer:
ISCH42N04LM7ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekttransistor

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

541A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

ISC

Emballagetype

PG-TDSON-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.42mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

79nC

Effektafsættelse maks. Pd

234W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
Infineon OptiMOS 7 Power Transistor, 40 V, N-kanal er en højtydende MOSFET, der er designet til at give exceptionel effektivitet og pålidelighed i power switching-applikationer. Med meget lav on-modstand (RDS(on)) hjælper den med at minimere ledningstab, hvilket forbedrer den samlede systemeffektivitet. Dens overlegne termiske modstand sikrer effektiv varmeafledning, hvilket gør den velegnet til applikationer med høj effekt. Derudover er den 100% lavinetestet, hvilket giver robust beskyttelse mod transiente hændelser og sikrer stabil ydeevne selv under barske forhold.

Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel

Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21

Relaterede links