Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 541 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- RS-varenummer:
- 349-391
- Producentens varenummer:
- ISCH42N04LM7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 126,12
(ekskl. moms)
Kr. 157,65
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 25,224 | Kr. 126,12 |
| 50 - 95 | Kr. 23,966 | Kr. 119,83 |
| 100 + | Kr. 22,186 | Kr. 110,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-391
- Producentens varenummer:
- ISCH42N04LM7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 541A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PG-TDSON-8 | |
| Serie | ISC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.42mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 234W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 79nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 541A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PG-TDSON-8 | ||
Serie ISC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.42mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 234W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 79nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 7 Power Transistor, 40 V, N-kanal er en højtydende MOSFET, der er designet til at give exceptionel effektivitet og pålidelighed i power switching-applikationer. Med meget lav on-modstand (RDS(on)) hjælper den med at minimere ledningstab, hvilket forbedrer den samlede systemeffektivitet. Dens overlegne termiske modstand sikrer effektiv varmeafledning, hvilket gør den velegnet til applikationer med høj effekt. Derudover er den 100% lavinetestet, hvilket giver robust beskyttelse mod transiente hændelser og sikrer stabil ydeevne selv under barske forhold.
Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 142 A 135 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 74 A 200 V Forbedring PG-TDSON-8 FL, ISC
- Infineon Type N-Kanal 170 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8 FL, ISC
- Infineon Type N-Kanal 172 A 135 V Forbedring PG-TSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 164 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 24 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 62 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 63 A 30 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC