Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 142 A 135 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- RS-varenummer:
- 349-143
- Producentens varenummer:
- ISC046N13NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 64,10
(ekskl. moms)
Kr. 80,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 32,05 | Kr. 64,10 |
| 20 - 198 | Kr. 28,875 | Kr. 57,75 |
| 200 - 998 | Kr. 26,63 | Kr. 53,26 |
| 1000 - 1998 | Kr. 24,685 | Kr. 49,37 |
| 2000 + | Kr. 22,065 | Kr. 44,13 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-143
- Producentens varenummer:
- ISC046N13NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 142A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 135V | |
| Serie | ISC | |
| Emballagetype | PG-TDSON-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 65nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 211W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 142A | ||
Drain source spænding maks. Vds 135V | ||
Serie ISC | ||
Emballagetype PG-TDSON-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 65nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 211W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS 6 Power Transistor er en N-kanal MOSFET på normalt niveau, der er designet til højtydende effektapplikationer. Den har meget lav on-modstand (RDS(on)), hvilket minimerer ledningstab og forbedrer den samlede effektivitet. Transistoren har også et fremragende gate charge x RDS(on)-produkt (FOM), hvilket sikrer optimal switching-ydelse. Med meget lav reverse recovery charge (Qrr) reducerer den koblingstab, hvilket gør den velegnet til applikationer med hurtig kobling. Derudover er enheden 100 % lavinetestet, hvilket sikrer pålidelighed og robusthed under stressede forhold.
175 °C driftstemperatur
Optimeret til motordrev og batteridrevne applikationer
Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
MSL 1 klassificeret i henhold til J-STD-020
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 541 A 40 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 170 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8 FL, ISC
- Infineon Type N-Kanal 74 A 200 V Forbedring PG-TDSON-8 FL, ISC
- Infineon Type N-Kanal 172 A 135 V Forbedring PG-TSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 62 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 164 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 24 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 63 A 30 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC