Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 164 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC ISC035N10NM5LF2ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 66,87

(ekskl. moms)

Kr. 83,588

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 33,435Kr. 66,87
20 - 198Kr. 30,07Kr. 60,14
200 - 998Kr. 27,75Kr. 55,50
1000 - 1998Kr. 25,73Kr. 51,46
2000 +Kr. 23,075Kr. 46,15

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-141
Producentens varenummer:
ISC035N10NM5LF2ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

164A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PG-TDSON-8

Serie

ISC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

217W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC

COO (Country of Origin):
CN
Infineon OptiMOS 5 Linear FET 2, 100 V er en N-kanal MOSFET med normalt niveau, der er specielt designet til hot-swap, batteribeskyttelse og e-fuse-applikationer. Den har meget lav on-modstand (RDS(on)), som hjælper med at minimere ledningstab, hvilket øger effektiviteten. MOSFET'en har også et bredt sikkert driftsområde (SOA), hvilket sikrer pålidelig ydeevne under en række forskellige driftsforhold. Disse funktioner gør den til et ideelt valg til applikationer, der kræver robust, effektiv og pålidelig strømstyring.

100% lavine testet

Pb-fri blybelægning og RoHS-kompatibel

Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21

Relaterede links