Infineon N-Kanal, MOSFET, 164 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC

Denne MOSFET er en højstrøms-switchtransistor, der er designet til overflademonterede strømforsyningsanvendelser. Den fungerer som en N-kanalforbedringsenhed, der er velegnet til styring af betydelige afløbsstrømme i kompakte elektroniske enheder. Komponenten er bygget til at fungere over et bredt termisk område og understøtter kortmonterede konfigurationer, der kræver lave ledningstab og robust strømhåndtering.

• Meget lav Rds(on) på 3.5 mΩ reducerer ledningstab under høj strøm
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 164 A understøtter krævende belastningsforhold
• Mærkespænding 100 V muliggør brug i mellemspændingstrin
• Effekttab på 217 W muliggør vedvarende termisk belastning på steder med begrænset plads
• Gate-tolerance ±20 V passer til almindelige drevskemaer med margin
• Hurtig fremadgående spænding 1,2 V minimerer ledningsfaldet ved omskiftning

• Velegnet til strømomformere i biler, der fungerer ved barske temperaturer
• Ideel til invertere med trækkraftmotor, der kræver høj kontinuerlig strøm
• Anvendes sammen med DC-DC-konvertere, der har brug for kontakter med lavt ledningstab
• Kan bruges til serverstrømtrin, hvor kompakt overflademontering er vigtig
• Velegnet til batteristyringssystemer i højeffektsinstallationer

Den leveres i et PG-TDSON-8-hus og kræver overflademonterede jordmønstre, der er kompatible med den termiske pude og otte-benede bundareal.

Det tilladte driftsområde spænder fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for drift i både miljøer med under nul og høje temperaturer uden nedgradering ud over normal termisk designpraksis.

Porten skal være begrænset til maks. 20 V

Enheden overholder RoHS, IEC 61249-2-21 og JEDEC specifikationer relateret til materialer og pakkedefinitioner.