Infineon Type N-Kanal, OptiMOST Power-MOSFET, 63 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- RS-varenummer:
- 273-3040
- Producentens varenummer:
- ISC045N03L5SATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 85,275
(ekskl. moms)
Kr. 106,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.950 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 3,411 | Kr. 85,28 |
| 50 - 475 | Kr. 3,154 | Kr. 78,85 |
| 500 - 975 | Kr. 2,923 | Kr. 73,08 |
| 1000 - 2475 | Kr. 2,854 | Kr. 71,35 |
| 2500 + | Kr. 2,794 | Kr. 69,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-3040
- Producentens varenummer:
- ISC045N03L5SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | OptiMOST Power-MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 63A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PG-TDSON-8 | |
| Serie | ISC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.89V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 30W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype OptiMOST Power-MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 63A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PG-TDSON-8 | ||
Serie ISC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.89V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 30W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons lavspændings-effekt-MOSFET giver bred tilgængelighed og konkurrencedygtigt pris/ydeevne-forhold.
Giver mulighed for omkostningseffektive løsninger
Hurtig forsendelse
Let at designe i
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 63 A 30 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 62 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 164 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 24 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 541 A 40 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 142 A 135 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Type N-Kanal 170 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8 FL, ISC
- Infineon Type N-Kanal 74 A 200 V Forbedring PG-TDSON-8 FL, ISC