Infineon N-Kanal, OptiMOST Power-MOSFET, 63 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- RS-varenummer:
- 273-3040
- Producentens varenummer:
- ISC045N03L5SATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 96,80
(ekskl. moms)
Kr. 121,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.950 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 3,872 | Kr. 96,80 |
| 50 - 475 | Kr. 3,576 | Kr. 89,40 |
| 500 - 975 | Kr. 3,318 | Kr. 82,95 |
| 1000 - 2475 | Kr. 3,237 | Kr. 80,93 |
| 2500 + | Kr. 3,172 | Kr. 79,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-3040
- Producentens varenummer:
- ISC045N03L5SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | OptiMOST Power-MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 63A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PG-TDSON-8 | |
| Serie | ISC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 30W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 890mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype OptiMOST Power-MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 63A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PG-TDSON-8 | ||
Serie ISC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 30W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 890mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons lavspændings-effekt-MOSFET giver bred tilgængelighed og konkurrencedygtigt pris/ydeevne-forhold.
Giver mulighed for omkostningseffektive løsninger
Hurtig forsendelse
Let at designe i
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 63 A 30 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 62 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 164 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 24 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 541 A 40 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 142 A 135 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 85 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N-Kanal 170 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8 FL, ISC