Renesas Electronics N-Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SOT-669
- RS-varenummer:
- 234-7157P
- Producentens varenummer:
- RJK0656DPB-00#J5
- Brand:
- Renesas Electronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 709,10
(ekskl. moms)
Kr. 886,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 14,182 |
| 100 - 245 | Kr. 12,058 |
| 250 - 995 | Kr. 11,774 |
| 1000 + | Kr. 10,338 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 234-7157P
- Producentens varenummer:
- RJK0656DPB-00#J5
- Brand:
- Renesas Electronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Renesas Electronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-669 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 45W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Renesas Electronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-669 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 45W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Renesas Electronics N-kanals enkelt effekt MOSFET er velegnet til switching- og belastningskontaktanvendelser. Den har en høj brydespænding på 60 V. Den er i stand til 4,5 V gate-drev.
Højhastighedsomskifter
Lav driftsstrøm
Montering med høj tæthed
Lav modstand ved tændt
Blyfri
Halogenfri