STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Forbedring, 3 Ben, H2PAK-2, STH200 Nej STH200N10WF7-2
- RS-varenummer:
- 234-8895
- Producentens varenummer:
- STH200N10WF7-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 28.050,00
(ekskl. moms)
Kr. 35.060,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 28,05 | Kr. 28.050,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 234-8895
- Producentens varenummer:
- STH200N10WF7-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | H2PAK-2 | |
| Serie | STH200 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 340W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 93nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype H2PAK-2 | ||
Serie STH200 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 340W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 93nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET anvender STripFET F7-teknologien med en forbedret renchegate-struktur, der øger lineær mode-modstands-evne og giver en bredere SOA kombineret med en meget lav modstand i tændt tilstand. Den resulterende MOSFET sikrer den bedste afdrift mellem lineær tilstand og skiftefunktion.
Klassens bedste SOA-kapacitet
Kan håndtere store strømstød
Ekstremt lav modstand ved tændt
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 180 A 100 V H2PAK-2, STH200 STH200N10WF7-2
- STMicroelectronics N-Kanal 180 A 100 V H2PAK-2, STripFET H7 STH310N10F7-2
- STMicroelectronics N-Kanal 180 A 80 V H2PAK-2, STripFET H7 STH270N8F7-2
- STMicroelectronics N-Kanal 180 A 100 V H2PAK-6, STripFET H7 STH310N10F7-6
- STMicroelectronics N-Kanal 110 A 100 V H2PAK-2 STripFET STH150N10F7-2
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 1200 V H2PAK-2, SiC MOSFET SCT20N120H
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 1200 V H2PAK-2, STB37N60 STH12N120K5-2
- STMicroelectronics N-Kanal 2 3 ben MDmesh STH3N150-2