STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Forbedring, 3 Ben, H2PAK-2, STH200
- RS-varenummer:
- 234-8896P
- Producentens varenummer:
- STH200N10WF7-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 317,90
(ekskl. moms)
Kr. 397,40
(inkl. moms)
Tilføj 16 enheder for at opnå gratis levering
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 31,79 |
| 100 - 249 | Kr. 31,12 |
| 250 - 499 | Kr. 30,59 |
| 500 + | Kr. 29,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 234-8896P
- Producentens varenummer:
- STH200N10WF7-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | H2PAK-2 | |
| Serie | STH200 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 340W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 93nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype H2PAK-2 | ||
Serie STH200 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 340W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 93nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET anvender STripFET F7-teknologien med en forbedret renchegate-struktur, der øger lineær mode-modstands-evne og giver en bredere SOA kombineret med en meget lav modstand i tændt tilstand. Den resulterende MOSFET sikrer den bedste afdrift mellem lineær tilstand og skiftefunktion.
Klassens bedste SOA-kapacitet
Kan håndtere store strømstød
Ekstremt lav modstand ved tændt