STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 36 A 600 V, 7 Ben, HU3PAK, STHU47 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 234-8901P
- Producentens varenummer:
- STHU47N60DM6AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 451,80
(ekskl. moms)
Kr. 564,80
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 45,18 |
| 100 - 249 | Kr. 44,28 |
| 250 - 499 | Kr. 43,38 |
| 500 + | Kr. 42,64 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 234-8901P
- Producentens varenummer:
- STHU47N60DM6AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 36A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | STHU47 | |
| Emballagetype | HU3PAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 80mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie STHU47 | ||
Emballagetype HU3PAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 80mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics højspændings N-kanal Power MOSFET er en del af MDmesh DM6 serien af hurtige genoprettelsesdiode. Sammenlignet med den tidligere hurtige MDmesh-generation kombinerer DMD 6 meget lav genoprettelsesladning (Qrr), restitutionstid (trr) og fremragende forbedring af RDS(on) pr. område med en af de mest effektive koblingsformer på markedet for de mest krævende højeffektive brotopologier og ZVS faseskiftkonvertere.
AEC-Q101 kvalificeret
Diode til hus med hurtig genindvinding
Lavere RDS (til) pr. område vs. forrige generation
Lav gate-opladning, indgangskapacitet og modstand
100 % avalanche-testet