Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 475 A 40 V Forbedring, 5 Ben, HSOF, IST

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 439,80

(ekskl. moms)

Kr. 549,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.288 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
20 - 48Kr. 21,99
50 - 98Kr. 20,46
100 - 198Kr. 18,885
200 +Kr. 17,655

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
235-0606P
Producentens varenummer:
IST006N04NM6AUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

475A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

IST

Emballagetype

HSOF

Monteringstype

Overflade

Benantal

5

Drain source modstand maks. Rds

0.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

178nC

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.9mm

Højde

7.2mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMoSTM6 effekttransistor drives på 40 V og drænstrøm på 475 A. Den er i Stoll-pakken og har meget lav RDS(on) på 0,60 mOhm. Det har fordelene ved Infineons velkendte kvalitetsniveau for robuste industripakker, hvilket gør det til den ideelle løsning til forskellige typer ydelse inden for batteridrevne anvendelser, batteribeskyttelse og batteridannelse.

Optimeret til lavspændings motordrev

Optimeret til batterianvendelser

Meget lav RDS-modstand (til)

100 % avalanche-testet

Fremragende termisk ydelse

N-kanal

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.