ROHM Type P, Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TSMT-8, QH8MB5
- RS-varenummer:
- 235-2672P
- Producentens varenummer:
- QH8MB5TCR
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 164,20
(ekskl. moms)
Kr. 205,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 90 | Kr. 3,284 |
| 100 - 240 | Kr. 2,603 |
| 250 - 990 | Kr. 2,528 |
| 1000 + | Kr. 1,967 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 235-2672P
- Producentens varenummer:
- QH8MB5TCR
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TSMT-8 | |
| Serie | QH8MB5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 44mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 0.85mm | |
| Højde | 2.9mm | |
| Længde | 3.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TSMT-8 | ||
Serie QH8MB5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 44mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 0.85mm | ||
Højde 2.9mm | ||
Længde 3.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM dobbelt N kanal og P kanal MOSFET, som understøtter 40 V modstår spænding. Dette er designet til 24 V indgangsudstyr som f.eks. udstyr til fabriksautomation og motorer, der er monteret på basestationer. Ved at kombinere den optimale N-kanal + P-kanal reduceres designindsatsen. Det bidrager også til lavere strømforbrug for udstyr.
Lav modstand ved tændt
Lille hus til overflademontering
Blyfri forgyldning
I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri