Infineon N-Kanal, MOSFET, 230 A 100 V, 8 ben, SuperSO8 5 x 6 ISC022N10NM6ATMA1

ISC022N10NM6 OptiMOSTM 6 100 V i normalt niveau sætter den nye teknologistandard inden for diskrete effekt-MOSFET'er. Sammenlignet med alternative produkter muliggør Infineons førende tynde waferteknologi betydelige ydeevnefordele.
Infineons OptiMOSTM 6 industrielle effekt-MOSFET 100 V er designet til anvendelser med høj skiftefrekvens som f.eks. telekommunikation og serverstrømforsyning, men er også det ideelle valg til andre anvendelser som f.eks. solenergi, el-værktøj og droner.
I SuperSO8-huset opnår den ∼20 % forbedringer i modstand i tændt tilstand (RDS(on)) og 30 % bedre tal for fordele (FOM - RDS(on) x Qg og Qgd) sammenlignet med den tidligere teknologi OptiMOSTM 5. Dette gør det muligt for designere at øge effektiviteten, hvilket muliggør nemmere termisk design og færre paralleller, hvilket fører til en reduktion af systemomkostningerne.

Sammenlignet med OptiMOSTM 5 opnår den nye teknologi:
•∼20 % lavere RDS(on)
•30 % forbedret FOMg og 40 % bedre FOMgd
•Lavere og blødere omvendt genopretningsopladning (Qrr)
•Velegnet til høj skiftefrekvens
•MSL 1 klassificeret i henhold til J-STD-020
•175 °C sammenslutningstemperatur
•Høj mærkeværdi for lavineenergi
•Blyfri ledningsbelægning
•I overensstemmelse med RoHS

•Lavt ledningstab
•Lavt skiftetab
•Hurtig tænding og slukning
•Færre paralleller er påkrævet
•Robust og pålidelig ydelse
•Miljøvenlig
•Færre paralleller er påkrævet