Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 1.55 A 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, ISP
- RS-varenummer:
- 235-4881P
- Producentens varenummer:
- ISP98DP10LMXTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 146,60
(ekskl. moms)
Kr. 183,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 220 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 1,466 |
| 250 - 490 | Kr. 1,391 |
| 500 - 990 | Kr. 1,339 |
| 1000 + | Kr. 1,242 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 235-4881P
- Producentens varenummer:
- ISP98DP10LMXTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | ISP | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 4.2W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 6.7mm | |
| Længde | 7.3mm | |
| Bredde | 1.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie ISP | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 4.2W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 6.7mm | ||
Længde 7.3mm | ||
Bredde 1.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS P-kanal MOSFET'er 100 V i SOT-223 hus repræsenterer den nye teknologi, der er målrettet til batteristyring, belastningsafbryder og beskyttelse mod omvendt polaritet. Den største fordel ved en P-kanal-enhed er reduktionen af designkompleksiteten i mellem- og laveffekts-applikationer. Dens nemme interface til MCU, hurtige skift samt lavine-robusthed gør den velegnet til krævende anvendelser i høj kvalitet. Den er tilgængelig på normalt niveau med et bredt RDS-område (til) og forbedrer effektiviteten ved lave belastninger på grund af lav QG. Den bruges til batteristyring, industriel automatisering.
Velegnet til høj og lav skiftefrekvens
Lavinerobusthed
Overflademonteret hus i industristandard
Robust, pålidelig ydeevne
Øget forsyningssikkerhed