STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 100 V, 3 Ben, TO-220
- RS-varenummer:
- 235-5448
- Producentens varenummer:
- STP150N10F7AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 60,66
(ekskl. moms)
Kr. 75,82
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 488 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 30,33 | Kr. 60,66 |
| 20 - 98 | Kr. 26,705 | Kr. 53,41 |
| 100 - 198 | Kr. 23,825 | Kr. 47,65 |
| 200 + | Kr. 20,46 | Kr. 40,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 235-5448
- Producentens varenummer:
- STP150N10F7AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 110A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.2mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 127nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 110A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.2mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 127nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET anvender STripFET F7-teknologi med forbedret renchegate-struktur, der resulterer i meget lav modstand i tændt tilstand, samtidig med at den interne kapacitet og gate-opladning reduceres for hurtigere og mere effektiv switching.
175 C samledetemperatur
Standardniveau VGS (TH)
Designet til brug i biler
100 % lavine-klassificeret
Anvendelsesområder
Skift mellem programmer
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 110 A 100 V TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 110 A 100 V Forbedring TO-220 STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 110 A 100 V Forbedring TO-220, STripFET H7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 900 V Forbedring TO-220, SiC MOSFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 60 V Forbedring TO-220, StrongIRFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 600 V Forbedring TO-220