Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 168 A 75 V, 8 Ben, SOP
- RS-varenummer:
- 236-3629
- Producentens varenummer:
- TPH2R608NH,L1Q(M
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 88,86
(ekskl. moms)
Kr. 111,075
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 5.000 enhed(er) afsendes fra 17. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 17,772 | Kr. 88,86 |
| 50 - 495 | Kr. 15,558 | Kr. 77,79 |
| 500 - 995 | Kr. 13,824 | Kr. 69,12 |
| 1000 - 2495 | Kr. 12,416 | Kr. 62,08 |
| 2500 + | Kr. 12,178 | Kr. 60,89 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 236-3629
- Producentens varenummer:
- TPH2R608NH,L1Q(M
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 168A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | SOP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.6mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 72nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6mm | |
| Højde | 0.95mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 168A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype SOP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.6mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 72nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6mm | ||
Højde 0.95mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Toshiba MOSFET, der er fremstillet af silikonemateriale og har N-kanal MOS-type. Den anvendes primært i højeffektive DC/DC-konvertere og switching-spændingsregulatorer.
Højhastighedskobling
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 168 A 75 V SOP
- Toshiba Type N-Kanal 150 A 40 V Forbedring SOP, TPHR8504PL
- Toshiba Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring SOP, TPH1R306PL
- Toshiba Type N-Kanal 92 A 40 V Forbedring SOP
- Toshiba Type N-Kanal 340 A 40 V Forbedring SOP
- Toshiba Type N-Kanal 93 A 100 V Forbedring SOP
- Toshiba Type N-Kanal 65 A 60 V Forbedring TSON
- Toshiba Type N-Kanal 82 A 40 V Forbedring SOP