Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOP, TPH1R306PL Nej TPH1R306PL,L1Q(M
- RS-varenummer:
- 206-9790
- Producentens varenummer:
- TPH1R306PL,L1Q(M
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 105,02
(ekskl. moms)
Kr. 131,275
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3.830 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 21,004 | Kr. 105,02 |
| 50 - 495 | Kr. 16,352 | Kr. 81,76 |
| 500 - 995 | Kr. 13,36 | Kr. 66,80 |
| 1000 - 2495 | Kr. 13,104 | Kr. 65,52 |
| 2500 + | Kr. 12,896 | Kr. 64,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-9790
- Producentens varenummer:
- TPH1R306PL,L1Q(M
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TPH1R306PL | |
| Emballagetype | SOP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 91nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.9mm | |
| Bredde | 5 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TPH1R306PL | ||
Emballagetype SOP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 91nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.9mm | ||
Bredde 5 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Toshiba silikone N-kanal MOSFET med høj hastighed switching-egenskaber. Den bruges primært i højeffektive DC-DC-konvertere, switching-spændingsregulatorer og motordrivere.
Lav drænkilde ON-modstand 1,0 m?
Opbevaringstemperatur -55 til 175 °C.
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring SOP, TPH1R306PL Nej
- Toshiba Type N-Kanal 150 A 40 V Forbedring SOPL1Q(M
- Toshiba Type N-Kanal 65 A 60 V Forbedring TSON Nej TPN14006NH,L1Q(M
- Toshiba Type N-Kanal 150 A 40 V Forbedring SOP, TPHR8504PL Nej
- Toshiba Type N-Kanal 168 A 75 V SOP Nej TPH2R608NH,L1Q(M
- Toshiba Type N-Kanal 65 A 60 V Forbedring TSON Nej
- Toshiba Type N-Kanal 168 A 75 V SOP Nej
- Toshiba Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring SOPLQ(S