Toshiba N-Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOP, U-MOSVIII-H
- RS-varenummer:
- 133-2809
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-09-221
- Producentens varenummer:
- TPH11006NL,LQ(S
- Brand:
- Toshiba
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 52,90
(ekskl. moms)
Kr. 66,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 980 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 2,645 | Kr. 52,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 133-2809
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-09-221
- Producentens varenummer:
- TPH11006NL,LQ(S
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Emballagetype | SOP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 34W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 950μm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie U-MOSVIII-H | ||
Emballagetype SOP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 17mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 34W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 950μm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba N-Kanal 38 A 30 V Forbedring SOP, U-MOSVIII-H
- Toshiba N-Kanal 32 A 30 V Forbedring SOP, U-MOSVIII-H
- Toshiba N-Kanal 22 A 80 V Forbedring TSON, U-MOSVIII-H
- Toshiba N-Kanal 15 A 40 V Forbedring TO-252, U-MOSVIII-H
- Toshiba 1 N-Kanal Enkelt 31 A 30 V Forbedring TSON, U-MOSVIII-H
- Toshiba N-Kanal 263 A 60 V Forbedring TO-220, U-MOSVIII-H
- Toshiba N-Kanal 157 A 80 V Forbedring TO-220, U-MOSVIII-H
- Toshiba N-Kanal 82 A 40 V Forbedring SOP, TPH3R704PC