Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOP, U-MOSVIII-H Nej TPH11006NL,LQ(S
- RS-varenummer:
- 133-2809
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-09-221
- Producentens varenummer:
- TPH11006NL,LQ(S
- Brand:
- Toshiba
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 52,90
(ekskl. moms)
Kr. 66,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 980 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 2,645 | Kr. 52,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 133-2809
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-09-221
- Producentens varenummer:
- TPH11006NL,LQ(S
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Emballagetype | SOP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 34W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Bredde | 5 mm | |
| Højde | 0.95mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie U-MOSVIII-H | ||
Emballagetype SOP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 17mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 34W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Bredde 5 mm | ||
Højde 0.95mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 32 A 30 V Forbedring SOPLQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 38 A 30 V Forbedring SOPLQ(S
- Toshiba 1 Type N-Kanal Enkelt 8 Ben U-MOSVIII-H TPN11003NL,LQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 22 A 80 V Forbedring TSONLQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 15 A 40 V Forbedring TO-252LQ(O
- Toshiba N-Kanal 56 A 30 V TSONLQ(S
- Toshiba N-Kanal 21 A 100 V TSONLQ(S
- Toshiba 2 Type N-Kanal Isoleret 5.1 A 40 V Forbedring SOPLQ(S
