Toshiba N-Kanal, MOSFET, 56 A 30 V, 8 ben, TSON, U-MOSVIII-H TPN6R003NL,LQ(S

Brand

Toshiba

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

56 A

Drain source spænding maks.

30 V

Serie

U-MOSVIII-H

Kapslingstype

TSON

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks.

8 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

2.3V

Mindste tærskelspænding for port

1.3V

Effektafsættelse maks.

32 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Gate-ladning ved Vgs typisk

17 nC ved 10 V

Bredde

3.1mm

Antal elementer per chip

1

Længde

3.1mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Transistormateriale

Si

Gennemgangsspænding for diode

1.2V

Højde

0.85mm