Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 157 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, U-MOSVIII-H Nej TK72E08N1,S1X(S
- RS-varenummer:
- 125-0591
- Producentens varenummer:
- TK72E08N1,S1X(S
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 52,06
(ekskl. moms)
Kr. 65,075
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 20 enhed(er) klar til afsendelse
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 10,412 | Kr. 52,06 |
| 25 - 45 | Kr. 6,268 | Kr. 31,34 |
| 50 - 120 | Kr. 5,714 | Kr. 28,57 |
| 125 - 245 | Kr. 5,654 | Kr. 28,27 |
| 250 + | Kr. 5,566 | Kr. 27,83 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 125-0591
- Producentens varenummer:
- TK72E08N1,S1X(S
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 157A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 81nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 192W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.7V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 15.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.16mm | |
| Bredde | 4.45 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 157A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie U-MOSVIII-H | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 81nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 192W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.7V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 15.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.16mm | ||
Bredde 4.45 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET N-kanal, TK6- og TK7-serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 263 A 60 V Forbedring TO-220S1X(S
- Toshiba 1 Type N-Kanal Enkelt 8 Ben U-MOSVIII-H TPN11003NL,LQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 22 A 80 V Forbedring TSONLQ(S
- Toshiba N-Kanal 56 A 30 V TSONLQ(S
- Toshiba N-Kanal 21 A 100 V TSONLQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 32 A 30 V Forbedring SOPLQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring SOPLQ(S
- Toshiba Type N-Kanal 38 A 30 V Forbedring SOPLQ(S
