Infineon N-Kanal, MOSFET, 479 A 25 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™
- RS-varenummer:
- 236-3641P
- Producentens varenummer:
- BSC004NE2LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 1.301,50
(ekskl. moms)
Kr. 1.627,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.970 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 120 | Kr. 26,03 |
| 125 - 245 | Kr. 24,236 |
| 250 - 495 | Kr. 22,77 |
| 500 + | Kr. 21,018 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 236-3641P
- Producentens varenummer:
- BSC004NE2LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 479A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.45mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 135nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 188W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.49mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bredde | 6.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 479A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.45mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 135nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 188W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.49mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bredde 6.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS Power MOSFET tilbyder benchmarkløsninger ved at muliggøre den højeste effekttæthed og energieffektivitet, både i standby og fuld drift. Den har en on-state modstand på 0.45 m ohm.
Højeste effektivitet
Højeste effekttæthed i SuperSO8-hus
Reduktion af de samlede systemomkostninger
I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri