Microchip Type P-Kanal, MOSFET, 140 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, VP0106
- RS-varenummer:
- 236-8962
- Producentens varenummer:
- VP0106N3-G
- Brand:
- Microchip
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 69,56
(ekskl. moms)
Kr. 86,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 30 enhed(er) afsendes fra 30. marts 2026
- Plus 660 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 6,956 | Kr. 69,56 |
| 50 - 90 | Kr. 5,827 | Kr. 58,27 |
| 100 - 240 | Kr. 5,266 | Kr. 52,66 |
| 250 - 490 | Kr. 5,176 | Kr. 51,76 |
| 500 + | Kr. 5,071 | Kr. 50,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 236-8962
- Producentens varenummer:
- VP0106N3-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 140A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Serie | VP0106 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.6W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 140A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Serie VP0106 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.6W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip-forstærknings-mode normalt off-transistoren anvender en vertikal DMOS-struktur og Supertex's gennemprøvede siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der er karakteristisk for alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. De vertikale DMO FET'er er velegnede til en lang række anvendelser med skift og forstærkning, hvor der ønskes meget lav tærskelspænding, høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige skiftehastigheder.
Fri for sekundære nedbrud
Lavt krav til strømdrev
Nem parallelopsætning
Lav CISS og hurtigt skiftende hastigheder
God termisk stabilitet
Integreret source-drain-diode
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Relaterede links
- Microchip Type P-Kanal 140 A 30 V Forbedring TO-92, VP0106
- Microchip Type P-Kanal 140 A 30 V Forbedring TO-92, VP0109
- Microchip Type P-Kanal 3 Ben VP3203
- Microchip Type P-Kanal 3 Ben LP0701
- Microchip Type P-Kanal 175 mA 40 V Forbedring TO-92
- Microchip Type P-Kanal 250 mA 60 V Forbedring TO-92
- Microchip Type P-Kanal -175 A 200 V Forbedring TO-92, TP0620
- Microchip Type P-Kanal 10.3 A 650 V Forbedring TO-92, VP2206