Vishay N-Kanal, MOSFET, 116 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 19.950,00

(ekskl. moms)

Kr. 24.930,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 6,65Kr. 19.950,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
239-5386
Producentens varenummer:
SiR582DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

116A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

SiR

Emballagetype

PowerPAK SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0034Ω

Effektafsættelse maks. Pd

92.5W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

33.5nC

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.15mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

5.15mm

Vishay TrenchFET N-kanal Power MOSFET har en drænstrøm på 116 A. Den anvendes til synkron ensretning, primær sidekontakt, DC/DC-omformer og kontakt til motordrev.

Meget lav RDS x QG-tal-of-Merit (FOM)

Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.