Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 116 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR
- RS-varenummer:
- 239-5387
- Producentens varenummer:
- SiR582DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 99,18
(ekskl. moms)
Kr. 123,975
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.270 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 19,836 | Kr. 99,18 |
| 50 - 120 | Kr. 18,64 | Kr. 93,20 |
| 125 - 245 | Kr. 16,904 | Kr. 84,52 |
| 250 - 495 | Kr. 15,858 | Kr. 79,29 |
| 500 + | Kr. 14,90 | Kr. 74,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-5387
- Producentens varenummer:
- SiR582DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 116A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | SiR | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0034Ω | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 92.5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 6.15mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 116A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8 | ||
Serie SiR | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0034Ω | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 92.5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 6.15mm | ||
Vishay TrenchFET N-kanal Power MOSFET har en drænstrøm på 116 A. Den anvendes til synkron ensretning, primær sidekontakt, DC/DC-omformer og kontakt til motordrev.
Meget lav RDS x QG-tal-of-Merit (FOM)
Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 116 A 80 V PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Type N-Kanal 100 A 80 V PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Type N-Kanal 78.4 A 80 V PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Type N-Kanal 59.5 A 80 V PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Type N-Kanal 52.1 A 60 V PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Type N-Kanal 26.8 A 150 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Type N-Kanal 73 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Type N-Kanal 66.8 A 80 V Forbedring SO-8, SiR