Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 116 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 59,90

(ekskl. moms)

Kr. 74,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.275 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 11,98Kr. 59,90
50 - 120Kr. 11,264Kr. 56,32
125 - 245Kr. 10,198Kr. 50,99
250 - 495Kr. 9,576Kr. 47,88
500 +Kr. 8,988Kr. 44,94

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
239-5387
Producentens varenummer:
SiR582DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

116A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0034Ω

Effektafsættelse maks. Pd

92.5W

Portkildespænding maks.

±20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

33.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

5.15 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

6.15mm

Vishay TrenchFET N-kanal Power MOSFET har en drænstrøm på 116 A. Den anvendes til synkron ensretning, primær sidekontakt, DC/DC-omformer og kontakt til motordrev.

Meget lav RDS x QG-tal-of-Merit (FOM)

Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links