STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 60 A 1.2 kV Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 239-5530P
- Producentens varenummer:
- SCTW60N120G2
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 25 flere for at gemme 2%
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 1.708,40
(ekskl. moms)
Kr. 2.135,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 265 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 24 | Kr. 170,84 | - |
| 25 + | Kr. 167,03 | 2% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-5530P
- Producentens varenummer:
- SCTW60N120G2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Serie | SCT | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 73mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 389W | |
| Portkildespænding maks. | 18V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 94nC | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Højde | 5mm | |
| Længde | 34.8mm | |
| Standarder/godkendelser | UL | |
| Bredde | 15.6mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Serie SCT | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 73mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 389W | ||
Portkildespænding maks. 18V | ||
Gennemgangsspænding Vf 3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 94nC | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Højde 5mm | ||
Længde 34.8mm | ||
Standarder/godkendelser UL | ||
Bredde 15.6mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics siliciumcarbid MOSFET-enheden er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovativ 2. Generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperaturen. Den kan bruges i switch-mode strømforsyning, DC-DC-konvertere og industriel motorstyring.
Meget hurtig og robust indbygget lysdiode
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Meget høj samledåstemperatur