STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 239-5530P
- Producentens varenummer:
- SCTW60N120G2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 2 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 340,94
(ekskl. moms)
Kr. 426,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 265 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 2 - 4 | Kr. 170,47 |
| 5 + | Kr. 168,37 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-5530P
- Producentens varenummer:
- SCTW60N120G2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 73mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 389W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 94nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3V | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | UL | |
| Højde | 5mm | |
| Længde | 34.8mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 73mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 389W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 94nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 3V | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser UL | ||
Højde 5mm | ||
Længde 34.8mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics siliciumcarbid MOSFET-enheden er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovativ 2. Generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperaturen. Den kan bruges i switch-mode strømforsyning, DC-DC-konvertere og industriel motorstyring.
Meget hurtig og robust indbygget lysdiode
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Meget høj samledåstemperatur