STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STP AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 239-5544
- Producentens varenummer:
- STP80N240K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 226,20
(ekskl. moms)
Kr. 282,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 20 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 45,24 | Kr. 226,20 |
| 50 - 120 | Kr. 41,214 | Kr. 206,07 |
| 125 + | Kr. 34,348 | Kr. 171,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-5544
- Producentens varenummer:
- STP80N240K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.6mm | |
| Længde | 28.9mm | |
| Standarder/godkendelser | UL | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie STP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.6mm | ||
Længde 28.9mm | ||
Standarder/godkendelser UL | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET med meget høj spænding er designet ved hjælp af den ultimative MDmesh K6-teknologi baseret på 20 års STMicroelectronics-oplevelse på superjunction-teknologi. Resultatet er klassens bedste On-Resistance pr. område og gate Charge til anvendelser, der kræver overlegen effekttæthed og høj effektivitet. Denne MOSFET anbefales til flyback-topologi, baseret anvendelse som f.eks. LED-belysning, opladere og adaptere. Giver større effekttæthed, hvilket reducerer både BOM-omkostningerne og kortets størrelse.
Verdens bedste RDS(on)x-område
Verdens bedste FOM (figur af fortjeneste)
Meget lav gate-opladning
100 % avalanche-testet
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring TO-220, STP AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring TO-252, STD AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 55 A 650 V Forbedring HIP-247-3, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-220, STP
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-220, STP