Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 10.3 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, TN5325
- RS-varenummer:
- 239-5618
- Producentens varenummer:
- TN5325K1-G
- Brand:
- Microchip
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 92,00
(ekskl. moms)
Kr. 115,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.050 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 07. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 3,68 | Kr. 92,00 |
| 50 - 75 | Kr. 3,608 | Kr. 90,20 |
| 100 - 225 | Kr. 3,378 | Kr. 84,45 |
| 250 - 975 | Kr. 3,315 | Kr. 82,88 |
| 1000 + | Kr. 3,246 | Kr. 81,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-5618
- Producentens varenummer:
- TN5325K1-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | TN5325 | |
| Emballagetype | TO-92 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie TN5325 | ||
Emballagetype TO-92 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip TN5325-serien af lavtærskel-, forbedrings- (normalt off) transistor anvender en vertikal DMOS-struktur og en gennemprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der har karakteristik af alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud.
Lav tærskel på maks. 2 V.
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Stigetid på 15 ns
Slukningsforsinkelsestid på 25 ns
Faldetid på 25 ns