Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 10.3 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-92, TN5325 Nej TN5325K1-G

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 92,00

(ekskl. moms)

Kr. 115,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 25Kr. 3,68Kr. 92,00
50 - 75Kr. 3,608Kr. 90,20
100 - 225Kr. 3,378Kr. 84,45
250 - 975Kr. 3,315Kr. 82,88
1000 +Kr. 3,246Kr. 81,15

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
239-5618
Producentens varenummer:
TN5325K1-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10.3A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-92

Serie

TN5325

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

8Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

140W

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Microchip TN5325-serien af lavtærskel-, forbedrings- (normalt off) transistor anvender en vertikal DMOS-struktur og en gennemprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der har karakteristik af alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud.

Lav tærskel på maks. 2 V.

Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

Stigetid på 15 ns

Slukningsforsinkelsestid på 25 ns

Faldetid på 25 ns

Relaterede links