Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 850 V Udtømning, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101

RS-varenummer:: 239-8620P
Producentens varenummer:: SIHA15N80AEF-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 850 V Udtømning, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat

Se mængderabatter

Indhold 50 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 1.104,80

(ekskl. moms)

Kr. 1.381,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

970 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.
50 - 120	Kr. 22,096
125 - 245	Kr. 20,002
250 - 495	Kr. 18,82
500 +	Kr. 17,652

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 239-8620P
Producentens varenummer:: SIHA15N80AEF-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	6A
	Drain source spænding maks. Vds	850V
	Emballagetype	TO-220
	Serie	EF
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	0.31Ω
	Kanalform	Udtømning
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	33W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	47nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	30V
	Driftstemperatur maks.	125°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A
	Drain source spænding maks. Vds 850V
	Emballagetype TO-220
	Serie EF
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 0.31Ω
	Kanalform Udtømning
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 33W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. 30V
	Driftstemperatur maks. 125°C
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - SIHA15N80AEF-GE3

Vishay EF seriens Power MOSFET, 850 V drain source spænding, 6 A kontinuerlig drain strøm - SIHA15N80AEF-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændings switching-transistor, der er beregnet til krævende elektroniske og bilmiljøer. Den fungerer som en N-kanal-udtømningsenhed i en robust TO-220-overfladepakke, der er designet til at håndtere høje spændinger og temperaturer, mens den interagerer med standard gate-drive-niveauer.

Egenskaber og fordele:

• 850 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 6 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme • 33 W effekttab muliggør vedvarende termisk håndtering • 0,35 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning • 54 nC typisk gate-ladning muliggør kontrolleret skiftedynamik • 30 V maksimal porttolerance beskytter mod portoverspænding

Anvendelser

• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger i industriel automatisering • Ideel til automobilundersystemer, der kræver AEC‐Q101-overensstemmelse • Anvendes til motorstyringskredsløb, der kræver robuste koblingsenheder • Kan bruges til DC-DC-omformere i elektriske systemer • Anvendes med højspændingsinvertertrin i elektromekanisk udstyr

Hvilke ekstreme temperaturer kan denne enhed tolerere under drift?

Den fungerer over et bredt temperaturområde fra -55 °C op til +150 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske termiske miljøer.

Hvordan monteres enheden og integreres i samlinger?

Den leveres i en TO-220-pakke til overflademontering med tre ben til nem montering gennem panel eller monteret på køleplade.

Hvilket beskyttelsesniveau tilbydes for miljødirektiver?

Komponenten opfylder RoHS-standarderne, hvilket angiver overensstemmelse med begrænsede farlige stoffer for materialer.

Hvordan påvirker portets specifikation drevkredsløb?

Porten accepterer op til 30 V, så drivertrin skal konstrueres til at forblive inden for denne grænse for at undgå portbelastning.